Plateau en carbure de silicium SiC RTA PVD ICP CMP Plateau

Le plateau en carbure de silicium est formé à partir de poudre de carbure de silicium de haute pureté après frittage, comme dispositif de transport utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, tel que RTA (recuit thermique rapide), PVD (dépôt physique en phase vapeur), ICP (plasma à couplage inductif), CMP (produit chimique polissage mécanique) et ainsi de suite.

Marque:
ATCERA
Article N°:
AT-THG-CZ1001

Matériels
SiC
Formes
Plate
Applications
Semiconductor

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Propriétés du Plateau en carbure de silicium

1. Excellente conductivité thermique, faible coefficient de dilatation thermique, bonne résistance aux chocs thermiques ;

2. Résistance aux hautes températures, résistance aux chocs plasma ;

3. Résistant à divers réactifs acides, alcalins et chimiques forts ;

4. Haute dureté, haute résistance, bonne résistance à l'usure.

Applications du Plateau SiC

Le plateau en carbure de silicium est utilisé comme plaque de support dans le processus de fabrication de semi-conducteurs (y compris les LED).

Tableau des tailles pour Plateau en carbure de silicium

Nous nous engageons à fournir un plateau en carbure de silicium de qualité supérieure adapté à vos spécifications exactes. Notre équipe dévouée veille au respect méticuleux de vos instructions, s’efforçant de dépasser les attentes des clients. De plus, nous offrons la flexibilité de tailles personnalisées pour répondre à vos besoins uniques.

Les exigences en matière de dessin et de paramètres doivent être fournies en cas de demande de conception personnalisée. (taille maximale jusqu'à 500*500 mm et diamètre jusqu'à 500 mm)

Tolérance d'usinage :
Diamètre	±0,25 mm
Épaisseur	±25 μm
Orientation des cristaux	<001> ±0,5°
Orientation de la face du cristal	±0,5°
Orientation des bords	≤2°
Autre paramètre, veuillez contacter ATCERA.

Tolérance dimensionnelle :

Diamètre : ±0,1 mm

Épaisseur : ±0,05 mm

Planéité : 0,003 mm

Envoyer les exigences pour une conception personnalisée

Drawing of Silicon Carbide Tray SiC PVD Tray

Plateau en carbure de silicium Plateau SiC PVD
Numéro d'article	Diamètre (mm)	Épaisseur (mm)	Pureté du SiC (%)
AT-THG-CZ1001	230	3	99
AT-THG-CZ1002	300	1,4	99
AT-THG-CZ1003	300	3	99
AT-THG-CZ1004	330	1,4	99
AT-THG-CZ1005	330	3	99

Drawing of Silicon Carbide Tray SiC ICP Tray

Plateau en carbure de silicium Plateau ICP SiC
Numéro d'article	Diamètre (mm)	Épaisseur (mm)	Pureté du SiC (%)
AT-THG-CZ2001	300	3	99
AT-THG-CZ2002	300	4.4	99
AT-THG-CZ2003	330	4.4	99
AT-THG-CZ2004	330	3	99
AT-THG-CZ2005	380	4.4	99
AT-THG-CZ2006	380	3	99

Données techniques des matériaux en carbure de silicium

Article		Unité	Données d'indexation
Article		Unité	SiC fritté par réaction (SiSiC)	Nitrure de silicium lié au SiC (NBSiC)	SiCn fritté sans pression (SSiC)
Contenu SiC		%	85	80	99
Contenu gratuit sur le silicium		%	15	0	0
Max. Température de service.		…	1380	1550	1600
Densité		g/cm3	3.02	2,72	3.1
Porosité		%	0	12	0
Résistance à la flexion	20â	Mpa	250	160	380
Résistance à la flexion	1200…	Mpa	280	180	400
Module d'élasticité	20â	Gpa	330	220	420
Module d'élasticité	1200…	Gpa	300	/	/
Conductivité thermique	1200…	W/m.k	45	15	74
Coefficient de dilatation thermique		K-1×10-6	4,5	5	4.1
Dureté Vickers	HT	kg/mm2	2500	2500	2800

*Ce tableau illustre les caractéristiques standard des matériaux en carbure de silicium couramment utilisés dans la fabrication de nos produits et pièces SiC. Veuillez noter que les attributs des produits et pièces personnalisés en carbure de silicium peuvent varier en fonction des processus spécifiques impliqués.

Instructions d'utilisation

1. Traitement de nettoyage

Avant le stockage, il est nécessaire de nettoyer le plateau en carbure de silicium pour éliminer les impuretés et polluants de surface. Vous pouvez utiliser un agent de nettoyage spécial ou de l'alcool pour nettoyer et sécher avec un chiffon sans poussière ;

2. Traitement de séchage

Le plateau en carbure de silicium nettoyé doit être séché pour éliminer l'humidité résiduelle. Le plateau peut être séché naturellement dans un environnement à faible humidité ou séché à l'aide d'un séchoir ;

3. Environnement de stockage

Le plateau en carbure de silicium doit être stocké dans un environnement sec, propre et sans poussière pour éviter l'humidité, la pollution et la poussière ;

4. Antichoc et antichute

Au cours du processus de conservation et de transport, le plateau doit être évité de fortes vibrations ou de chutes pour éviter qu'il ne soit endommagé ou n'affecte la précision ;

5. Contrôle régulier

L'état du plateau en carbure de silicium doit être régulièrement vérifié, notamment son apparence, sa précision et sa stabilité, etc., pour garantir qu'il est en bon état avant utilisation.

Informations précieuses

Emballage du plateau SiC

Les plateaux en carbure de silicium sont soigneusement emballés dans des conteneurs appropriés pour éviter tout dommage potentiel.

Avantages de la personnalisation

1. Selon votre scénario d'application, analysez les besoins, choisissez le matériau et le plan de traitement appropriés.

2. Une équipe professionnelle, réponse rapide, peut fournir des solutions et des devis dans les 24 heures après confirmation de la demande.

3. Mécanisme de coopération commerciale flexible, prend en charge au moins un élément de personnalisation de la quantité.

4. Fournissez rapidement des échantillons et des rapports de test pour confirmer que le produit répond à vos besoins.

5. Fournissez des suggestions d'utilisation et d'entretien du produit pour réduire vos coûts d'utilisation.

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