Plaquette de carbure de silicium Plaquette SiC

La plaquette de carbure de silicium, une nouvelle génération de matériaux semi-conducteurs, peut être utilisée pour fabriquer une variété de dispositifs électroniques, tels que le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET), la diode Schottky, la photodiode, etc.

Marque:
ATCERA
Article N°:
AT-SIC-JP001N

Matériels
SiC
Formes
Substrate
Applications
Semiconductor

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Propriétés de plaquette en carbure de silicium

Le composant électronique à base de carbure de silicium a une bonne dissipation thermique, une conductivité électrique élevée, une intensité de champ électrique de claquage élevée, un grand écart énergétique, une bonne résistance à la corrosion, peut répondre aux exigences de composants de puissance élevée, de faible perte et de haute fréquence, et peut maintenir longtemps -performance stable à terme dans des environnements difficiles.

1. Faible perte d'énergie : la perte de commutation et la perte marche-arrêt du module en carbure de silicium sont nettement inférieures à celles du module IGBT conventionnel, et avec l'augmentation de la fréquence de commutation, plus la différence de perte avec le module IGBT est grande ;

2. Petite taille de boîtier : la taille des composants électroniques en carbure de silicium est plus petite que celle des composants à base de silicium de même spécification et présente moins de perte d'énergie, de sorte qu'ils peuvent fournir une densité de courant plus élevée ;

3. Commutation haute fréquence : le taux de dérive de saturation électronique du matériau en carbure de silicium est deux fois supérieur à celui du silicium, ce qui contribue à améliorer la fréquence de fonctionnement des composants ;

4. Résistance à haute température, bonne dissipation thermique : la largeur de la bande interdite et la conductivité thermique du carbure de silicium sont environ 3 fois supérieures à celles du silicium, il peut donc résister à des températures plus élevées, la chaleur générée est plus facile à libérer, ce qui favorise la miniaturisation et la légèreté du système. .

Applications de plaquette SiC

Les composants en carbure de silicium peuvent mieux répondre aux besoins de haute température, haute tension, haute fréquence et grande puissance, et ils sont largement utilisés dans les véhicules électriques, la production d'énergie photovoltaïque, le transport ferroviaire, les centres de données, les piles de chargement et d'autres produits et équipements. .

1. Dispositifs haute puissance (type conducteur) : le composant en carbure de silicium a une conductivité thermique élevée, une intensité de champ électrique de claquage élevée, une faible perte d'énergie, adapté à la production de dispositifs haute puissance, tels que des modules de puissance, des modules d'entraînement, etc.

2. Appareils électroniques à radiofréquence (type semi-isolé) : le composant en carbure de silicium a une conductivité élevée, peut répondre aux besoins du travail à haute fréquence, adapté aux amplificateurs de puissance RF, aux appareils à micro-ondes et aux commutateurs haute fréquence ;

3. Dispositifs photoélectroniques (type semi-isolé) : le composant en carbure de silicium présente un large écart énergétique et une stabilité thermique élevée, adaptés à la production de photodiodes, de cellules solaires, de diodes laser et d'autres dispositifs ;

4. Capteur de température (type conducteur) : le composant en carbure de silicium a une conductivité thermique et une stabilité thermique élevées, adapté à la production d'une large plage de travail et d'un capteur de température de haute précision.

Tableau des tailles pour plaquette en carbure de silicium

Nous nous engageons à fournir des plaquettes de carbure de silicium optimales adaptées à vos spécifications exactes. Notre équipe dévouée veille au respect méticuleux de vos instructions, s’efforçant de dépasser les attentes des clients. De plus, nous offrons la flexibilité de tailles personnalisées pour répondre à vos besoins uniques.

Les exigences en matière de taille, de paramètre de matériau et de traitement doivent être fournies en cas de demande de conception personnalisée.

Envoyer les exigences pour une conception personnalisée

Tolérance d'usinage :

1. Diamètre : ±0,25 mm

2. Épaisseur : ±25μm

3. Orientation du cristal : <001> ±0,5°

4. Orientation de la face du cristal : ±0,5°

5. Orientation du bord : ≤2°

Autre paramètre, veuillez contacter ATCERA.

Drawing of Silicon Carbide Wafer Conductive

Plaquette conductrice en carbure de silicium
Numéro d'article	Diamètre (pouces)	Épaisseur (mm)
AT-SIC-JP001N	2	0,35
AT-SIC-JP002N	3	0,35
AT-SIC-JP003N	4	0,35
AT-SIC-JP004N	6	0,35
AT-SIC-JP005N	2	0,5
AT-SIC-JP006N	3	0,5
AT-SIC-JP007N	4	0,5
AT-SIC-JP008N	6	0,5

Drawing of SiC Substrate Round

Substrat SiC rond
Numéro d'article	Diamètre (pouces)	Épaisseur (mm)
AT-SIC-CD101	2	2
AT-SIC-CD102	3	3
AT-SIC-CD103	4	4
AT-SIC-CD104	6	2
AT-SIC-CD105	8	3

Données techniques des matériaux en carbure de silicium

Article		Unité	Données d'indexation
Article		Unité	SiC fritté par réaction (SiSiC)	Nitrure de silicium lié au SiC (NBSiC)	SiCn fritté sans pression (SSiC)
Contenu SiC		%	85	80	99
Contenu gratuit sur le silicium		%	15	0	0
Max. Température de service.		…	1380	1550	1600
Densité		g/cm3	3.02	2,72	3.1
Porosité		%	0	12	0
Résistance à la flexion	20â	Mpa	250	160	380
Résistance à la flexion	1200…	Mpa	280	180	400
Module d'élasticité	20â	Gpa	330	220	420
Module d'élasticité	1200…	Gpa	300	/	/
Conductivité thermique	1200…	W/m.k	45	15	74
Coefficient de dilatation thermique		K-1×10-6	4,5	5	4.1
Dureté Vickers	HT	kg/mm2	2500	2500	2800

*Ce tableau illustre les caractéristiques standard des matériaux en carbure de silicium couramment utilisés dans la fabrication de nos produits et pièces SiC. Veuillez noter que les attributs des produits et pièces personnalisés en carbure de silicium peuvent varier en fonction des processus spécifiques impliqués.

Méthodes de nettoyage

Les plaquettes en carbure de silicium doivent être nettoyées avant utilisation pour éliminer la saleté et les impuretés de la surface.

1. Mettez la plaquette de carbure de silicium dans de l'eau distillée, laissez-la tremper pendant un certain temps, puis essuyez doucement la surface avec un chiffon doux avant de la retirer ;

2. Mettez un agent de nettoyage chimique, laissez tremper pendant un certain temps, puis retirez-le ;

3. Retirez la plaquette de carbure de silicium nettoyée, rincez la surface avec de l'eau, puis retirez-la et séchez-la ;

4. Lors du processus de nettoyage, évitez d'utiliser un frottement mécanique trop intense ou un chauffage à haute température, et assurez-vous que l'environnement de nettoyage et les outils sont propres pour éviter la pollution.

Informations précieuses

Emballage du substrat SiC

Les substrats SiC sont soigneusement emballés dans des conteneurs appropriés pour éviter tout dommage potentiel.

Avantages de la personnalisation

1. Selon votre scénario d'application, analysez les besoins, choisissez le matériau et le plan de traitement appropriés.

2. Une équipe professionnelle, réponse rapide, peut fournir des solutions et des devis dans les 24 heures après confirmation de la demande.

3. Mécanisme de coopération commerciale flexible, prend en charge au moins un élément de personnalisation de la quantité.

4. Fournissez rapidement des échantillons et des rapports de test pour confirmer que le produit répond à vos besoins.

5. Fournissez des suggestions d'utilisation et d'entretien du produit pour réduire vos coûts d'utilisation.

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