Silicon carbide ceramic substrate
Silicon carbide ceramic substrate
Silicon carbide ceramic substrate
Silicon carbide ceramic substrate

Substrat céramique en carbure de silicium Substrat SiC

Le substrat est le matériau de base de la puce semi-conductrice, qui peut être divisé en type conducteur et type semi-isolant en fonction de la résistivité. Les dispositifs semi-conducteurs fabriqués à partir d'un substrat en carbure de silicium peuvent mieux répondre aux exigences d'application de haute température, haute tension et puissance plus grande, la forme est généralement ronde et le diamètre est généralement de 2 pouces (50 mm), 3 pouces (75 mm), 4 pouces (100 mm). ), 6 pouces (150 mm), 8 pouces (200 mm) et autres spécifications.

  • Marque:

    ATCERA
  • Article N°:

    AT-SIC-CD001
  • Matériels

    SiC
  • Formes

    Substrate
  • Applications

    Semiconductor , Photovoltaic Cell Industry
sic 4h

Propriétés du Substrat céramique en carbure de silicium

Le substrat en carbure de silicium a une bonne dissipation thermique, une conductivité électrique élevée, une intensité de champ électrique de claquage élevée, un grand écart énergétique, une bonne résistance à la corrosion, peut répondre aux exigences de composants de puissance élevée, de faible perte et de haute fréquence, et peut maintenir à long terme performances stables dans des environnements difficiles.

1. Bonne stabilité à haute température

Le substrat SiC a une bonne stabilité à haute température, et la déformation du réseau générée par le substrat en carbure de silicium est faible dans l'environnement de travail à haute température, et il n'est pas facile d'apparaître une déformation par expansion ou une dilatation thermique hors de contrôle.

2. Haute stabilité chimique

Le substrat en carbure de silicium a une excellente résistance à la corrosion, il peut résister à la corrosion des environnements acides et alcalins. Sa stabilité chimique est bonne, aucun problème de corrosion lors d'une utilisation à long terme.

3. Excellentes propriétés mécaniques

Le substrat SiC a une excellente résistance mécanique et dureté, peut résister à une pression et une force de couple importantes, et la résistance à l'usure est bonne. Pendant ce temps, son module élastique est grand, le module de Young est élevé, pas facile à déformer ou à coller les uns aux autres.

Applications of SiC Substrate

Applications du Substrat SiC

Le substrat en carbure de silicium est le matériau de base des puces semi-conductrices, comparé au substrat en silicium, il peut mieux répondre aux besoins de haute température, haute tension, haute fréquence et grande puissance, et il est largement utilisé dans les véhicules électriques, la production d'énergie photovoltaïque. , le transport ferroviaire, les centres de données, les bornes de recharge et d'autres produits et équipements.

1. Dispositifs haute puissance (type conducteur) : le substrat en carbure de silicium a une conductivité thermique élevée, une intensité de champ électrique de claquage élevée, une faible perte d'énergie, adapté à la production de dispositifs haute puissance, tels que des modules de puissance, des modules d'entraînement, etc.

2. Appareils électroniques à radiofréquence (type semi-isolé) : le substrat en carbure de silicium a une conductivité élevée, peut répondre aux besoins du travail à haute fréquence, adapté aux amplificateurs de puissance RF, aux appareils à micro-ondes et aux commutateurs haute fréquence ;

3. Dispositifs photoélectroniques (type semi-isolé) : le substrat en carbure de silicium présente un large écart énergétique et une stabilité thermique élevée, adaptés à la production de photodiodes, de cellules solaires, de diodes laser et d'autres dispositifs ;

4. Capteur de température (type conducteur) : le substrat en carbure de silicium a une conductivité thermique et une stabilité thermique élevées, adapté à la production d'une large plage de travail et d'un capteur de température de haute précision.

Tableau des tailles pour Substrat céramique en carbure de silicium

Nous nous engageons à fournir un substrat SiC optimal adapté à vos spécifications exactes. Notre équipe dévouée veille au respect méticuleux de vos instructions, s’efforçant de dépasser les attentes des clients. De plus, nous offrons la flexibilité de tailles personnalisées pour répondre à vos besoins uniques.

Les informations sur les paramètres de taille et de matériau doivent être fournies en cas de demande de conception personnalisée.

Tolérance d'usinage :
1. Diamètre : ±0,25 mm
2. Épaisseur : ±25μm
3. Orientation du cristal : <001> ±0,5°
4. Orientation de la face du cristal : ±0,5°
5. Orientation du bord : ≤2°
Autre paramètre, veuillez contacter ATCERA.

Drawing of SiC Substrate Square

Carré de substrat SiC
Numéro d'article L×L
(mm)
Épaisseur
(mm)
AT-SIC-CD001 10*3 0,5/1,0
AT-SIC-CD002 10*5 0,5/1,0
AT-SIC-CD003 10*10 0,5/1,0
AT-SIC-CD004 15*15 0,5/1,0
AT-SIC-CD005 20*15 0,5/1,0
AT-SIC-CD006 20*20 0,5/1,0

Drawing of SiC Substrate Round

Substrat SiC rond
Numéro d'article Diamètre
(pouces)
Épaisseur
(mm)
AT-SIC-CD101 2 2
AT-SIC-CD102 3 3
AT-SIC-CD103 4 4
AT-SIC-CD104 6 2
AT-SIC-CD105 8 3

Données techniques des matériaux en carbure de silicium

Article Unité Données d'indexation
SiC fritté par réaction
(SiSiC)
Nitrure de silicium lié au SiC
(NBSiC)
SiCn fritté sans pression
(SSiC)
Contenu SiC % 85 80 99
Contenu gratuit sur le silicium % 15 0 0
Max. Température de service. 1380 1550 1600
Densité g/cm3 3.02 2,72 3.1
Porosité % 0 12 0
Résistance à la flexion 20â Mpa 250 160 380
1200… Mpa 280 180 400
Module d'élasticité 20â Gpa 330 220 420
1200… Gpa 300 / /
Conductivité thermique 1200… W/m.k 45 15 74
Coefficient de dilatation thermique K-1×10-6 4,5 5 4.1
Dureté Vickers HT kg/mm2 2500 2500 2800

*Ce tableau illustre les caractéristiques standard des matériaux en carbure de silicium couramment utilisés dans la fabrication de nos produits et pièces SiC. Veuillez noter que les attributs des produits et pièces personnalisés en carbure de silicium peuvent varier en fonction des processus spécifiques impliqués.

Méthodes de nettoyage

1. Agent de nettoyage alcalin : l'agent de nettoyage alcalin peut éliminer les polluants organiques et certaines impuretés inorganiques à la surface du carbure de silicium, l'utilisateur peut choisir un agent de nettoyage alcalin avec de l'hydroxyde de sodium et un tensioactif. Lors du nettoyage, le substrat en carbure de silicium est trempé dans la solution de nettoyage, puis agité avec des ondes ultrasonores et enfin rincé à l'eau déminéralisée.
2. Agent de nettoyage acide : l'agent de nettoyage acide peut éliminer les ions métalliques et certains polluants inorganiques à la surface du carbure de silicium, en utilisant un agent de nettoyage acide contenant de l'acide fluorhydrique et de l'acide nitrique. Lors du nettoyage, le substrat en carbure de silicium est trempé dans la solution de nettoyage, puis agité avec des ondes ultrasonores et enfin rincé à l'eau déminéralisée.
3. Nettoyage au plasma d'oxygène : le nettoyage au plasma d'oxygène est une méthode de nettoyage physique qui élimine les polluants organiques et inorganiques à la surface du carbure de silicium par la réaction chimique du plasma d'oxygène. Lors du nettoyage, le substrat en carbure de silicium est placé dans la machine de nettoyage au plasma, de l'oxygène est injecté et du plasma est généré, puis nettoyé.

Informations précieuses

SiC Substrate Packing

Emballage du substrat SiC

Les substrats SiC sont soigneusement emballés dans des conteneurs appropriés pour éviter tout dommage potentiel.

Avantages de la personnalisation
Avantages de la personnalisation

1. Selon votre scénario d'application, analysez les besoins, choisissez le matériau et le plan de traitement appropriés.

2. Une équipe professionnelle, réponse rapide, peut fournir des solutions et des devis dans les 24 heures après confirmation de la demande.

3. Mécanisme de coopération commerciale flexible, prend en charge au moins un élément de personnalisation de la quantité.

4. Fournissez rapidement des échantillons et des rapports de test pour confirmer que le produit répond à vos besoins.

5. Fournissez des suggestions d'utilisation et d'entretien du produit pour réduire vos coûts d'utilisation.

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Absolument. Notre équipe technique possède une connaissance approfondie des matériaux céramiques et une vaste expérience dans la conception de produits. Nous sommes heureux de vous fournir des conseils en matière de sélection de matériaux et une assistance à la conception de produits pour garantir des performances optimales à vos produits.

Nous n’avons pas d’exigence de valeur minimale de commande fixe. Nous nous efforçons toujours de répondre aux besoins de nos clients et nous nous efforçons de fournir un service et des produits de qualité, quelle que soit la taille de la commande.

En plus des produits céramiques, nous proposons également une gamme de services supplémentaires, notamment : des services de traitement de la céramique personnalisés en fonction de vos besoins, à partir d'ébauches ou d'ébauches semi-finies produites par vous-même ; si vous êtes intéressé par des services externalisés d’emballage et de métallisation en céramique, veuillez nous contacter pour une discussion plus approfondie. Nous nous engageons toujours à vous fournir une solution unique pour répondre à vos différents besoins.

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