Substrat saphir Plaquettes de saphir plan C

Le substrat en saphir est résistant aux températures élevées et à la corrosion, avec une bonne résistance à l'usure, peut s'adapter à un environnement de travail difficile et le taux de discordance de réseau est faible. Il peut être utilisé comme substrat pour la préparation de tranches épitaxiales de nitrure III-V, telles que GaN, qui sont utilisées pour la fabrication de puces dans l'industrie des semi-conducteurs.

Marque:
ATCERA
Article N°:
AT-BS-JP1001

Matériels
Transparent Ceramics
Formes
Substrate
Applications
Semiconductor , Mechanical Parts , Petrochemical Industry , Metallurgy Industry

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Avantages du Substrat saphir

Le substrat saphir est résistant aux températures élevées et à la corrosion, avec une bonne résistance à l'usure, peut s'adapter à un environnement de travail difficile, le taux de discordance de réseau est faible et les performances sont stables.

Applications des plaquettes Sapphire

Le substrat saphir peut être utilisé comme substrat pour la préparation de tranches épitaxiales de nitrure III-V, telles que GaN, qui sont utilisées pour la fabrication de puces dans l'industrie des semi-conducteurs.

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Tableau des tailles du Substrat Saphir

Engagé à fournir un substrat saphir optimal personnalisé selon vos besoins précis. Notre équipe dévouée garantit le respect scrupuleux de vos instructions, dans le but de dépasser les attentes des clients. De plus, nous offrons la flexibilité de tailles personnalisées pour répondre à vos besoins uniques.

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Substrat saphir C-Plane (0001)
Article n°	Pouces	Diamètre (mm)	Épaisseurï¼μmï¼	ttv arc chaîne	Pureté
AT-BS-JP1001	1 pouce	25,4±0,1	430±25	ttv < 5 μm arc < 5 μm chaîne < 5 μm	99,999 %
AT-BS-JP1002	2 pouces	50,8±0,1	430±25	ttv < 10 μm arc < 10 μm chaîne < 10 μm	99,999%
AT-BS-JP1003	3 pouces	76,2±0,1	500±25	ttv < 15 μm arc < 15 μm chaîne < 15 μm	99,999 %
AT-BS-JP1004	4 pouces	100±0,1	650±25	ttv < 20 μm arc < 20 μm chaîne < 20 μm	99,999%
AT-BS-JP1005	5 pouces	125±0,1	650±25	ttv < 20 μm arc < 20 μm chaîne < 20 μm	99,999%
AT-BS-JP1006	6 pouces	150±0,2	1300±25	ttv < 25 μm arc < 25 μm chaîne < 25 μm	99,999%
AT-BS-JP1007	8 pouces	200±0,2	1300±25	ttv< 30 μm arc< 30 μm chaîne< 30 μm	99,999%

Données techniques de Al2O3 (structure monocristalline)

Contenu	Al2O3 (structure monocristalline)
Pureté	99.995
Densité	3,98-4,1g/cm3
Dureté	1700Hv
Résistance à la compression	2100MPa
Résistance à la flexion	445MPa
Résistance à la traction	200MPa
Module d'élasticité	380GPa
Rapport de Poisson	0,28
Max. température de travail	1950…
Conductivité thermique	28-32W/m*K
Coefficient de dilatation thermique	6*10-6/K
Indice de réfraction	1,76
Transmissivité	>86 % (280-3 500 nm)
Résistivité volumique	>1,51016Ohmcm
Rigidité diélectrique	48KV/mm

*Ce tableau illustre les caractéristiques standard des matériaux Al2O3 (structure monocristalline) couramment utilisés dans la fabrication de nos produits et pièces Al2O3 (structure monocristalline). Veuillez noter que les attributs des produits et pièces Al2O3 (structure monocristalline) personnalisés peuvent varier en fonction des processus spécifiques impliqués. Le paramètre détaillé est décidé par le type et la composition de l'agent stabilisant.

Informations précieuses

Substrat saphir Emballage

Les substrats saphir sont soigneusement emballés dans des conteneurs appropriés pour éviter tout dommage potentiel.

Avantages de la personnalisation

1. Selon votre scénario d'application, analysez les besoins, choisissez le matériau et le plan de traitement appropriés.

2. Une équipe professionnelle, réponse rapide, peut fournir des solutions et des devis dans les 24 heures après confirmation de la demande.

3. Mécanisme de coopération commerciale flexible, prend en charge au moins un élément de personnalisation de la quantité.

4. Fournissez rapidement des échantillons et des rapports de test pour confirmer que le produit répond à vos besoins.

5. Fournissez des suggestions d'utilisation et d'entretien du produit pour réduire vos coûts d'utilisation.

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